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igbt静态参数测试仪

igbt静态参数测试仪

价 格: ¥188元/台
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最近更新: 2020/10/28 15:03:27
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  • 品牌:其他
  • 类型:综合参数测试仪、多参数测试仪、便携式安全
  • 分类:参数测试仪器、静电测试仪、参数测量仪
  • 产地:广东
  • 是否进口:
  • 货号:1600
  • 加工定制:
  • 型号:HUSTEC-1600A-MT
  • 测量范围:5000V 1600Amm(MΩ)
  • 电源:220V
  • 测试电压:5000(V)
igbt静态参数测试仪
关键词: igbt测试仪,大功率igbt测试仪,igbt综合测试仪

HUSTEC-1600A-MT

功率器件静态参数测试仪

Power Device Static Parameter Tester


igbt静态参数测试仪

产品简介  Introducion

 HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件参数测试仪,可用于IGBT单管及模块,SIC器件,MOS管,二极管等功率器件的静态参数测试。

 

产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容,可升级到3KA/10KV.

VGE可达±100V;开启电压VGETH支持两种测试方法;

采用插槽式设计结构,便于升级和维护;

设备支持SI基,SIC材料的MOS管,IGBT单管及模块,二极管测试,晶闸管测试,

自动进行分档测试,既覆盖大功率特征下的测试范围,又可保证小功率器件测试精度

支持单点测试,I-V曲线扫描,还具有曲线对比功能;同一规格型号,不同批次的产品曲线对比,同一规格,不同厂家之家的产品曲线对比

开放通讯接口,可以连接探针台做wafer / chip 测试,也可以连接HANDLE,夹具及适配器做模块测试,

测试数据可存储为Excel文件,WORD报告

技术指标Technical Specifications

技术指标

3.4

VGE(th)栅极阈值电压

VGE:0.1~10V±1%±0.01V;


3.5

VGE(th)

测试条件与精度

集电极电流Ic:

10~50mA±1%±0.5mA;

50~200mA±1%±1mA;

200~1000mA±1%±2mA;

3.6

VCES集射极截止电压

VCES:0-5000V±1%±2V;


3.7

VCES

测试条件与精度

集电极电流ICES:

0.01~1mA±3%±0.001mA;

1~10mA±2%±0.01mA;

10~50mA±1%±0.1mA;

3.8

ICES集射极截止电流

集电极电流ICES:0.01~50mA

0.001~1mA±3%±0.001mA;

1~10mA±2%±0.01mA;

10~50mA±1%±0.1mA;


3.9

ICES

测试条件与精度

集电极电压VCES:50~500V±1%±1V;

500~5000V±1%±2V;

3.10

VCE(sat)饱和导通压降

集电极电压VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V


3.11

VCE(sat)

测试条件与精度

 

栅极电压Vge:5~40V±1%±0.01V

集电极电流ICE:0-1600A

0~100A±1%±1A;

100~1600A±1%±1A;

3.12

Iges栅极漏电流

栅极漏电流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA


3.13

Iges测试条件与精度

栅极电压Vge:±1V~100V±1%±0.1V;Vce=0V;

3.14

VF正向特性测试

二极管导通电压Vf:0.1~10V±1%±0.01V


3.15

VF正向特性测试

测试条件与精度

电流IF:0~100A±2%±1A;

100~1600A±1%±2A;



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  • 所在地: 广东省 深圳市
  • 所属类别: 综合测试仪
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