- 产品详情
品牌: | F4-75R12KS4 | 型号: | F4-75R12KS4 |
类型: | F4-75R12KS4 | 针脚数: | F4-75R12KS4 |
货号: | F4-75R12KS4 | 包装: | F4-75R12KS4 |
F4-75R12KS4: | F4-75R12KS4 | F4-75R12KS4: | F4-75R12KS4 |
F4-75R12KS4
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F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
F4-75R12KS4
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
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F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
F4-75R12KS4
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F4-75R12KS4
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R12KS4
以上展示的是由深圳市明烽威电子有限公司所发布的F4-75R12KS4 Infineon英飞凌相关内容,主要包括F4-75R12KS4 Infineon英飞凌、产地、厂家、图片等参数,还可以直接联系供应商询问价格!