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F4-75R12KS4 Infineon英飞凌

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品牌:F4-75R12KS4 型号:F4-75R12KS4 
类型:F4-75R12KS4 针脚数:F4-75R12KS4 
货号:F4-75R12KS4 包装:F4-75R12KS4 
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm 
长度: 107.5 mm 
宽度: 45 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极电压: +/- 20 V 
产品类型: IGBT Modules 

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm 
长度: 107.5 mm 
宽度: 45 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极电压: +/- 20 V 
产品类型: IGBT Modules 

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm 
长度: 107.5 mm 
宽度: 45 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极电压: +/- 20 V 
产品类型: IGBT Modules 

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极发射极电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: Econo 2
小工作温度: - 40 C
工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm 
长度: 107.5 mm 
宽度: 45 mm 
商标: Infineon Technologies 
安装风格: Chassis Mount 
栅极/发射极电压: +/- 20 V 
产品类型: IGBT Modules 
工厂包装数量: 10 
子类别: IGBTs 
零件号别名: F475R12KS4

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以上展示的是由深圳市明烽威电子有限公司所发布的F4-75R12KS4 Infineon英飞凌相关内容,主要包括F4-75R12KS4 Infineon英飞凌、产地、厂家、图片等参数,还可以直接联系供应商询问价格!

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